从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
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EDA 3D IC 数字孪生
● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
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西门子EDA 3D IC
来自日本东京科学研究所 （Science Tokyo） 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 （SiP） 方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 （2D） 中，具有与尺寸相关的限制，因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算，研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术，该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成，标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube，研究人员开发了涉及精确和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技术 半导体封装
2025年5月27日 - Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出扩展其广受欢迎的 PDB241-GTR 系列吉他电位器产品。全新吉他电位器大幅提升旋转寿命至 100,000 次，能满足专业演奏者对高频使用的需求。同时，Bourns 也同步提供一款标准选项，具备 15,000 次循环的旋转寿命，以供不同应用需求选择。Bourns® PDB241-GTR系列吉他电位器除了 100,000 次循环的旋转寿命外，PDB241-GTR 系列还具备低扭力设计 (10 至 45 g-
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Bourns PDB241-GTR 吉他电位器 传感
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
中国的研究人员开发了一种开创性的方法，可以为射频传感器构建分辨率低于 10 微米的高纵横比 3D 微结构。该技术以 1：4 的宽高比实现了深沟槽，同时还实现了对共振特性的精确控制并显着提高了性能。这种混合技术不仅提高了 RF 超结构的品质因数 （Q 因子） 和频率可调性，而且还将器件占用空间减少了多达 45%。这为传感、MEMS 和 RF 超材料领域的下一代应用铺平了道路。电子束光刻和纳米压印等传统光刻技术难以满足对超精细、高纵横比结构的需求。厚度控制不佳、侧壁不均匀和材料限制限制了性能和可扩展性。该技术
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3D 射频传感器
全球微电子工程公司Melexis近日宣布，重磅推出全新电子指南《赋感于形：迈向智能机器人的感知集成之路》。该指南深入剖析机器人领域的最新发展态势，全面展示迈来芯的前沿技术，详细阐述迈来芯传感器解决方案如何高效攻克集成与成本方面的难题，并优化性能和可扩展性设计，助力工程师精准满足行业需求。为工程师赋能先进传感器技术这份电子指南可在迈来芯官方网站获取，其深入解读机器人感知技术的前沿核心创新成果，包括3D触觉传感技术，以及高精度磁编码器、电感、电流和温度传感器等内部传感系统。本指南深入剖析现代机器人所面临的诸多
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机器人 传感 Melexis
Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
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Sandisk 3D-NAND
为了将车辆自动化提升到一个新的水平，设计人员研究了 LiDAR 等传感器选项的权衡，并着眼于传感系统架构。每年，约有 120 万人死于道路交通事故，还有无数人遭受改变人生的伤害。考虑到这一点，世界卫生组织和联合国大会合作制定了一项名为“道路安全行动十年”的计划。该计划旨在到 2030 年将道路交通伤亡人数减少至少 50%。但法规制定者们还有他们的工作要做。《纽约时报》最近的一篇文章中引用的研究指出，在大流行期间，美国的车祸数量增加了 16%，2021 年的道路死亡人数达到 15 年来的最高水平，超过 42
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传感系统架构 传感 LiDAR
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
2 月 23 日消息，据韩联社报道，韩国科技评估与规划研究院（KISTEP）23 日发布的一份调查报告指出，韩国绝大多数的半导体技术已经被中国赶超。研究院针对 39 名国内专家实施问卷调查的结果显示，截至去年，韩国所有半导体领域的基础力量均落后于中国。若将技术最先进国家的水平设为 100%，韩国在高集成度、低阻抗存储芯片技术领域就为 90.9%，低于中国（94.1%）位居第二；在高性能、低功耗的人工智能芯片领域，韩国（84.1%）仍不及中国（88.3%）。在功率半导体方面，韩国为 67.5%，中国高达 7
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韩研究院 半导体技术 KISTEP 高集成度 低阻抗存储芯片 传感 制造工艺
2月13日消息，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布成立一个新的业务部门，将当前的传感器和射频（RF）业务合并成一个专门的部门，从而推动公司在传感器领域的发展。新成立的传感器单元和射频（SURF）业务部门隶属于电源与传感系统（PSS）事业部，并涵盖之前的汽车和多市场传感与控制相关业务。通过整合在传感器和射频技术领域的优势，英飞凌充分利用成本与研发的协同效应，加速创新并为客户创造更大的价值，从而增强自身的竞争力和产品上市策略。预计到 2027 年，传感器和射
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英飞凌 电源 传感
日前，紫光国微在投资者互动平台透露，公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线，现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作，2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解，无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目，也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线，对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
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紫光国微 2D/3D 芯片封装
据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
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3D NAND 深孔蚀刻
2025年1月24日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，扩展其 Multifuse® MF-USHT 表贴式 PPTC 可复位保险丝系列，新增了九款产品。这些新型号符合 AEC-Q200 标准，保持电流 (Ihold) 范围扩大至 2.0 A，最大电压 (Vmax) 提升至 36 VDC，最高工作温度提高至 +125 °C，进一步满足高性能应用需求。Bourns 扩展 Multifuse® 聚合物 P
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柏恩 Bourns 电源 传感 新型保险丝 MF-USHT freeXpansion Multifuse
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